-
1 пассивированный кремний
Русско-английский словарь по электронике > пассивированный кремний
-
2 пассивированный кремний
Русско-английский словарь по радиоэлектронике > пассивированный кремний
-
3 борид кремния
-
4 окись кремния
-
5 сернистый кремний
-
6 сероокись кремния
-
7 четырехфтористый кремний
Русско-английский научный словарь > четырехфтористый кремний
-
8 диоксид кремния
Русско-английский новый политехнический словарь > диоксид кремния
-
9 поглощение кремния
Русско-английский новый политехнический словарь > поглощение кремния
-
10 кремний
-
11 диоксид кремния
Русско-английский словарь по информационным технологиям > диоксид кремния
-
12 кремний
Русско-английский словарь по информационным технологиям > кремний
-
13 оксид кремния
Русско-английский словарь по информационным технологиям > оксид кремния
-
14 нитрид кремния
-
15 кремний
м. silicon, Si -
16 кремний
silicium, silicon* * *кре́мний м.
silicon, Siпассиви́рованный нитри́дом кре́мний — nitride-passivated siliconпассиви́рованный о́кислом кре́мний — oxide-passivated siliconполуизоли́рующий кре́мний — semi-insulating siliconкре́мний с ды́рочной проводи́мостью — hole-conduction [p -type] siliconкре́мний с со́бственной проводи́мостью — intrinsic siliconкре́мний с электро́нной проводи́мостью — electron-conduction [n -type] siliconэпитаксиа́льно вы́ращенный кре́мний — epitaxial silicon -
17 пассивированный кремний
Electronics: passivated siliconУниверсальный русско-английский словарь > пассивированный кремний
-
18 пассивированный нитридом кремний
Engineering: nitride-passivated siliconУниверсальный русско-английский словарь > пассивированный нитридом кремний
-
19 пассивированный окислом кремний
Engineering: oxide-passivated siliconУниверсальный русско-английский словарь > пассивированный окислом кремний
-
20 пассивированный кристаллический кремний
Русско-английский политехнический словарь > пассивированный кристаллический кремний
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Hydrogen-terminated silicon surface — A hydrogen terminated silicon surface is a chemically passivated silicon substrate whose native oxide (SiO2) thin film is removed by etching in hydrogen fluoride aqueous solution, leaving the surface silicon atoms covalently bonded to hydrogen.… … Wikipedia
Amorphous silicon — (a Si) is the non crystalline allotropic form of silicon. Silicon is a four fold coordinated atom that is normally tetrahedrally bonded to four neighboring silicon atoms. In crystalline silicon this tetrahedral structure is continued over a large … Wikipedia
Corrosion — v · d · e Materials failure modes Buckling · … Wikipedia
Chromium — This article is about the chemical element. For other uses, see Chromium (disambiguation). vanadium ← chromium → manganese ↑ Cr ↓ Mo … Wikipedia
Gallium arsenide — Gallium arsenide … Wikipedia
NaREC — (National Renewable Energy Centre) Type Not for Profit Industry Renewable Energy Energy Efficiency Founded 2002 Founder(s) One North East Headquarters … Wikipedia
Gallium(III) arsenide — Chembox new Name = Gallium arsenide ImageFile = Gallium arsenide.jpg ImageFile1 = Gallium arsenide unit cell 3D balls.png IUPACName = Gallium arsenide Section1 = Chembox Identifiers CASNo = 1303 00 0 SMILES = Ga#As Section2 = Chembox Properties… … Wikipedia
Iron — Fe redirects here. For other uses, see Fe (disambiguation). This article is about the chemical element. For other uses, see Iron (disambiguation). manganese … Wikipedia
Crystal oscillator — A miniature 4 MHz quartz crystal enclosed in a hermetically sealed HC 49/US package, used as the resonator in a crystal oscillator. A crystal oscillator is an electronic oscillator circuit that uses the mechanical resonance of a vibrating crystal … Wikipedia
Xenon difluoride — Chembox new Name = Xenon difluoride ImageFile = Xenon difluoride 2D.png ImageName = Xenon difluoride ImageFile1 = Xenon difluoride 3D vdW.png ImageName1 = Xenon difluoride IUPACName = xenon(II) fluoride OtherNames = xenon fluoride, xenon… … Wikipedia
Neutron depth profiling — (NDP) is a near surface analysis technique that is commonly used to obtain profiles of concentration as a function of depth for certain technologically important light elements in nearly any substrate. The technique was first proposed by Ziegler… … Wikipedia